RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
6400
Около 3.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
23400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2709
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link