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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
65
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
59
读取速度,GB/s
4,806.8
17.3
写入速度,GB/s
2,784.6
7.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
1954
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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