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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
4,806.8
15.7
写入速度,GB/s
2,784.6
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2803
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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