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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
4,806.8
15.7
写入速度,GB/s
2,784.6
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2803
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
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