RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2803
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link