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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
3,405.2
17.7
写入速度,GB/s
2,622.0
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2814
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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