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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
16.7
写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3324
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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