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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
77
左右 -328% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
18
读取速度,GB/s
3,405.2
19.4
写入速度,GB/s
2,622.0
15.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3063
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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