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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
16.1
写入速度,GB/s
2,622.0
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3130
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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