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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
14.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3078
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB RAM的比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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