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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
3,405.2
14.5
写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3192
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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