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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
77
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
20
读取速度,GB/s
3,405.2
19.0
写入速度,GB/s
2,622.0
15.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3549
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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