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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
16.5
写入速度,GB/s
2,622.0
13.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3447
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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