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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
3,405.2
18.3
写入速度,GB/s
2,622.0
16.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3934
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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