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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
17.3
写入速度,GB/s
2,622.0
13.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3359
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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