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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
17.2
写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3189
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
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Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
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