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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
19.3
写入速度,GB/s
2,622.0
15.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3423
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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