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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
17.4
写入速度,GB/s
2,622.0
12.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3310
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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