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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
18.5
写入速度,GB/s
2,622.0
14.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3596
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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