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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
15.4
写入速度,GB/s
2,622.0
12.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3038
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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