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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
77
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
39
读取速度,GB/s
3,405.2
13.4
写入速度,GB/s
2,622.0
10.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2333
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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