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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
16.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2973
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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