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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
3,405.2
19.3
写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3964
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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