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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
77
左右 -353% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
17
读取速度,GB/s
3,405.2
21.1
写入速度,GB/s
2,622.0
19.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3829
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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