RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
18.7
写入速度,GB/s
2,622.0
16.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3937
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link