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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905599-020.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
77
左右 -208% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
25
读取速度,GB/s
3,405.2
14.5
写入速度,GB/s
2,622.0
9.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2515
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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