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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905702-071.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
3,405.2
16.2
写入速度,GB/s
2,622.0
11.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2934
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
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