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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905702-150.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
3,405.2
18.5
写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3331
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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