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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965596-029.B00G 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.6
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
9.6
写入速度,GB/s
2,622.0
7.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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