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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
59
77
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.3
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
4.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
59
读取速度,GB/s
3,405.2
7.3
写入速度,GB/s
2,622.0
4.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1421
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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