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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965669-032.A00G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
16.7
写入速度,GB/s
2,622.0
14.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2915
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Kingston 9965669-032.A00G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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