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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
77
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
47
读取速度,GB/s
3,405.2
14.2
写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2576
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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