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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
3,405.2
17.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3142
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Kingston KDK8NX-MIE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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