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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
77
左右 -208% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
25
读取速度,GB/s
3,405.2
16.8
写入速度,GB/s
2,622.0
12.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2989
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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