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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
3,405.2
15.6
写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2468
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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