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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
3,405.2
14.0
写入速度,GB/s
2,622.0
9.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2277
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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