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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
77
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
38
读取速度,GB/s
3,405.2
13.8
写入速度,GB/s
2,622.0
9.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2073
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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