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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
13.2
写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3068
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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