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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
15.5
写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3132
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
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