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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
3,405.2
19.4
写入速度,GB/s
2,622.0
13.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3351
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
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