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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
12.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
13.4
16.1
写入速度,GB/s
12.1
12.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3155
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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