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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
13.4
15.7
写入速度,GB/s
12.1
13.3
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3159
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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