Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

总分
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

总分
star star star star star
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 33
    左右 24% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13% 更高的带宽
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.1 left arrow 13.4
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    25 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    13.4 left arrow 16.1
  • 写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 11.7
  • 内存带宽,mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3419 left arrow 2867
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较