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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
13.4
15.8
写入速度,GB/s
12.1
13.5
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3075
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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