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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
49
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
49
读取速度,GB/s
15.0
15.8
写入速度,GB/s
10.3
11.5
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2673
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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