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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
15.0
17.4
写入速度,GB/s
10.3
14.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3393
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
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