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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
15.0
16.9
写入速度,GB/s
10.3
13.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3236
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
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