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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
15.0
17.0
写入速度,GB/s
10.3
11.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2912
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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