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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
15.5
写入速度,GB/s
10.3
9.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2479
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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