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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
36
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.2
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
16
读取速度,GB/s
15.0
22.3
写入速度,GB/s
10.3
21.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3952
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Inmos + 256MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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