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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
36
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
20
读取速度,GB/s
15.0
16.0
写入速度,GB/s
10.3
7.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2414
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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INTENSO M418039 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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